Spintrônica começa a funcionar a temperatura ambiente

Redação do Site Inovação Tecnológica -  24/05/2016

A imagem de fundo desta apresentação é uma microfotografia real do material spintrônico - cada ponto representa um átomo. A estrutura central ilustra a manipulação dos spins. [Imagem: Masaaki Tanaka/Story Laboratory/LLC]

Spintrônica quente

A spintrônica promete superar e eletrônica em quase tudo - ao depender do spin dos elétrons, e não de enxurradas de elétrons, ela pode gerar processadores mais rápidos, menores e que não esquentam.

Além disso, a spintrônica está a um passo da computação quântica, permitindo estabelecer uma ponte com tecnologias ainda mais futurísticas.

E agora as coisas começaram a esquentar de vez, deixando tudo isto mais próximo da realização prática.

Pesquisadores vietnamitas e japoneses conseguiram pela primeira vez fazer com que um dos dispositivos spintrônicos mais promissores funcione a temperatura ambiente - quase tudo que se fez nesse campo e na área da computação quântica até agora opera em temperaturas criogênicas.

Semicondutores ferromagnéticos

Nguyen Thanh Tu e seus colegas sintetizaram semicondutores ferromagnéticosdopados com ferro que permitem manipular o spin dos elétrons e parecem estar imunes ao ruído que ocorre a temperaturas mais elevadas.

"A unificação da semicondução e do magnetismo é desejável porque oferece novas oportunidades de utilização dos graus de liberdade do spin em dispositivos semicondutores," disse o professor Masaaki Tanaka, da Universidade de Tóquio.

"Na verdade, a nossa abordagem vai contra as visões tradicionais de design de materiais para semicondutores ferromagnéticos. Obtivemos um grande avanço crescendo pela primeira vez um semicondutor dopado com ferro que apresenta o ferromagnetismo até a temperatura ambiente, e em semicondutores que têm boa compatibilidade com a eletrônica moderna. Nossos resultados abrem o caminho para a criação de dispositivos spintrônicos semicondutores operando a temperatura ambiente," finalizou.

Agora é esperar que o novo material seja utilizado para fabricar os tão esperados transistores de spin, que possam substituir os transistores eletrônicos atuais.

Bibliografia:

High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb
Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka
Applied Physics Letters
Vol.: 108, 192401
DOI: 10.1063/1.4948692