sábado, 31 de outubro de 2015

Lógica pós-binária: criado um trit, que guarda 0, 1 ou 2

Lógica pós-binária: criado um trit, que guarda 0, 1 ou 2

Nanomemória guarda um trit: 0, 1 e 2
O trit é baseado em um memristor, também conhecido como neurônio artificial, ou sinapse artificial. [Imagem: SNF]
Trit
Uma equipe do Instituto Federal de Tecnologia de Zurique, na Suíça, construiu um memristor - comumente conhecido como "neurônio artificial" - que aponta para uma lógica pós-binária.
O componente, fabricado a partir de uma fatia de perovskita de apenas 5 nanômetros de espessura, possui três estados resistivos estáveis.
Como resultado, ele pode armazenar não apenas os valores 0 ou 1 comumente guardados por um bit, mas também pode ser utilizado para guardar informações codificadas por três estados - 0, 1 ou 2, ou seja, um "trit".
"Nosso componente poderia, portanto, ser útil para um novo tipo de tecnologia da informação que não seja baseada em lógica binária, mas em uma lógica que ofereça informações localizadas 'entre' o 0 e o 1," explica a professora Jennifer Rupp, coordenadora da equipe.
"Isto tem implicações interessantes para a chamada lógica fuzzy [lógica nebulosa, ou difusa], que busca incorporar uma forma de incerteza no tratamento da informação digital. Podemos descrevê-la como uma computação menos rígida," acrescentou.
Outra aplicação potencial do trit é na computação neuromórfica, que busca componentes eletrônicos para reproduzir a maneira pela qual os neurônios processam informações, e na qual os memristores, os transistores iônicos e ostransistores sinápticos são as principais ferramentas.
O quarto componente
O princípio de funcionamento do memristor foi descrito pela primeira vez em 1971, como o quarto componente básico dos circuitos eletrônicos (ao lado de resistores, capacitores e indutores).
A partir dos anos 2000, pesquisadores vêm sugerindo que certos tipos de memória resistiva poderiam atuar como memristores, mas somente em 2008 aexistência do quarto componente eletrônico fundamental foi comprovada.
"As propriedades de um memristor em um determinado momento no tempo dependerá do que já aconteceu antes," explica Rupp referindo-se ao efeito de memória que faz com que o memristor se assemelhe aos neurônios. "Isto imita o comportamento dos neurônios, que somente transmitem informação quando um limiar específico de ativação foi atingido."
Principalmente a Intel e a HP têm investindo pesadamente no desenvolvimento de memristores para substituir as memórias flash usadas em cartões de memória USB, cartões SD e discos rígidos SSD - a expectativa é que a nova tecnologia de memória da Intel chegue ao mercado até o final deste ano. Mas o protótipo do trit desenvolvido pela equipe suíça ainda está em fase inicial de desenvolvimento.

Bibliografia:

Uncovering Two Competing Switching Mechanisms for Epitaxial and Ultrathin Strontium Titanate-Based Resistive Switching Bits
Markus Kubicek, Rafael Schmitt, Felix Messerschmitt, Jennifer L. M. Rupp
ACS Nano
Vol.: Article ASAP
DOI: 10.1021/acsnano.5b02752

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